EcoGaN de ROHM ha sido adoptado para fuentes de alimentación de servidores de IA por Murata Power Solutions
Los HEMT de GaN de 650 V en encapsulado TOLL contribuyen a mejorar la eficiencia de las fuentes de alimentación.
ROHM ha anunciado que la serie EcoGaN™ de HEMTs de GaN de 650 V en el encapsulado TOLL ha sido adoptada para fuentes de alimentación de servidores de IA por Murata Power Solutions, filial del Murata Manufacturing Group y proveedor líder de componentes electrónicos, baterías y fuentes de alimentación en Japón. La integración de los HEMT de GaN de ROHM, que combinan un funcionamiento de bajas pérdidas con un rendimiento de conmutación de alta velocidad, en la fuente de alimentación para servidores de IA de 5,5 kW de Murata Power Solutions consigue una mayor eficiencia y miniaturización. La producción en masa de esta fuente de alimentación comenzará en 2025.
Los rápidos avances en campos vinculados al IdC, como la IA y la RA (realidad aumentada), han provocado un importante aumento del tráfico mundial de datos en los últimos años. En particular, se calcula que el consumo de energía para una única respuesta generada por IA es varias veces mayor que el de una búsqueda estándar en Internet, lo que pone de manifiesto la necesidad de fuentes de alimentación de IA más eficientes. Mientras tanto, los dispositivos de GaN, reconocidos por su baja resistencia en conducción y sus prestaciones de conmutación de alta velocidad, son objeto creciente de atención por su capacidad para mejorar la eficiencia de las fuentes de alimentación y reducir al mismo tiempo el tamaño de los componentes periféricos como los inductores utilizados en los circuitos de potencia.
Dr. Joe Liu, especialista técnico, Murata Power Solutions
«Nos complace haber diseñado con éxito fuentes de alimentación para servidores de IA que presentan una mayor eficiencia y densidad de potencia gracias a la incorporación de los HEMT de GaN de ROHM. La capacidad de conmutación de alta velocidad, la baja capacitancia parásita y las características de recuperación inversa cero de los HEMT de GaN ayudan a minimizar las pérdidas por conmutación. Esto permite frecuencias de funcionamiento más altas en convertidores de conmutación, con lo cual se reduce el tamaño de los componentes magnéticos. Los HEMT de GaN de ROHM ofrecen un rendimiento competitivo y una fiabilidad excepcional, aportando excelentes resultados en el desarrollo de las fuentes de alimentación para servidores de IA de 5,5 kW de Murata Power Solutions. En el futuro, seguiremos colaborando con ROHM, líder en semiconductores de potencia, para mejorar la eficiencia de las fuentes de alimentación y abordar el problema social de la demanda de energía cada vez mayor».
Yuhei Yamaguchi, director general, División de Desarrollo de Productos de Etapa de Potencia, Unidad de Negocio LSI de ROHM Co.
«Estamos encantados de que los productos EcoGaN™ de ROHM hayan sido adoptados en las fuentes de alimentación para servidores de IA de Murata Power Solutions, líder mundial en fuentes de alimentación. Los HEMT de GaN utilizados en esta aplicación proporcionan un rendimiento de conmutación líder en la industria en un encapsulado TOLL de alta disipación de calor, lo que mejora la densidad de potencia y la eficiencia en las fuentes de alimentación de Murata Power Solutions. Esperamos estrechar aún más nuestra asociación con Murata Manufacturing, una empresa que comparte la misma visión de contribuir al progreso de la sociedad a través de la electrónica, promoviendo la miniaturización y la eficiencia de las fuentes de alimentación para mejorar la vida de las personas».
Fuentes de alimentación de Murata Power Solutions para servidores de IA
La serie de fuentes de alimentación CA-CC «1U Front End» de Murata Power Solutions incluye las fuentes de alimentación D1U T-W-3200-12-HB4C (salida de 12 V) y D1U T-W-3200-54-HB4C (salida de 54 V) de 3,2 kW en el encapsulado M-CRPS de versión corta y alta densidad de potencia, así como la D1U67T-W-5500-50-HB4C de 5,5 kW diseñada para servidores de IA. Estas fuentes de alimentación «front-end» ofrecen una alta eficiencia de conversión que cumple los estrictos requisitos de los productos 80+ Titanium y Open Compute, además de admitir el funcionamiento redundante N+m para garantizar la fiabilidad del sistema, lo que las hace ideales para alimentar los servidores de GPU de última generación. Además de proporcionar una alimentación fiable y eficiente para servidores, estaciones de trabajo y sistemas de almacenamiento/comunicación, el diseño 1U de perfil bajo de estas unidades ayuda a minimizar el espacio que ocupa el sistema.
EcoGaN™ de ROHM
La marca de ROHM para dispositivos de GaN que contribuyen a la preservación de la energía y a la miniaturización maximizando las características del GaN para lograr un menor consumo de energía de las aplicaciones, componentes periféricos más pequeños y diseños más sencillos que requieren menos piezas.
• EcoGaN™ es una marca comercial o una marca registrada de ROHM Co., Ltd.
www.rohm.com
